PowiGaN 技术
PowiGaN 是Power Integrations自行研发的氮化镓（GaN）技术。在PI高度集成的离线反激式开关IC中，PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗，和硅器件相比，PowiGaN产品可实现体积更小，重量更轻，效率更高的充电器，适配器和敞开式电源。
下载白皮书：基于PowiGaN的初级侧电源开关 - 扩展InnoSwitch3系列IC的功率范围
哪些PI产品采用PowiGaN技术？
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，在封闭式适配器不需散热片就可实现高达100W输出功率。
- InnoSwitch3-AQ - 适合基于 400 V 总线系统的电动汽车
- InnoSwitch3-CP - 适合需要恒功率输出特性的充电应用
- InnoSwitch3-EP - 适合敞开式环境的电源应用
- InnoSwitch3-Pro - 适合可动态控制电压及电流的电源应用
- InnoSwitch3-PD - 适合减少 USB PD PPS 适配器中的组件数量，具有内置 USB PD 控制器
- InnoSwitch3-MX - 适合LED电视、显示器及采用显示器的家电，搭配InnoMux 控制器
- InnoSwitch4-CZ - 适合超小型移动设备充电器，搭配ClampZero高频有源钳位 IC
- InnoSwitch4-Pro - 结合动态控制和有源钳位，可与 ClampZero 配对用于零电压转换（ZVS）或在准谐振模式下单独使用
- HiperPFS-5 - 适合功率因数校正（PFC，许多国家/地区要求超过 75 W 的电源必须包含PFC），与 InnoSwitch4-CZ IC 或 HiperLCS-2 芯片组配对
- MinE-CAP - 大幅缩小充电器中的电容器尺寸，搭配InnoSwitch3开关IC
- LYTSwitch-6 - 适合LED 照明及镇流器应用
如何使用基于PowiGaN的产品进行设计？
PI Expert自动电源设计软件同时支持基于硅MOSFET和PowiGaN的器件，协助设计工程师选择最佳组件，并从基本参数输入生成完整的原理图、磁性图和BOM，从而加快设计过程。
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请看系列视频： 氮化镓（GaN）解密
